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對于用戶而言，內(nèi)存交叉存取是顯而易見的，它取決于系統(tǒng)DIMM的位置以及配置。
內(nèi)存交叉存取由系統(tǒng)BIOS在POST過程中自動完成。
目前推薦的安裝順序是D1,D7,D2,D8，并依此類推，直至在裝滿存儲體3后才能在存儲體2里加裝更多的內(nèi)存。此做法實現(xiàn)了4路交叉存取，從而增強了內(nèi)存的性能。
不過，在上述配置情況下，即使僅僅往存儲體2中加裝2個額外的DIMM都會導致內(nèi)存配置錯誤。這將迫使系統(tǒng)禁用裝在存儲體2中的全部內(nèi)存，并導致系統(tǒng)探測到的物理內(nèi)存數(shù)量與實際安裝的內(nèi)存總量不一致。
還有一種不同的策略，就是往存儲體3、2、1里每個裝入2個DIMM。
這樣做能保持兩路交叉存取并且為所有裝好的內(nèi)存DIMM提供通道（或者干脆以4個為一組的方式安裝內(nèi)存DIMM）。
內(nèi)存熱備份：
熱備份內(nèi)存在<Advancedsetup>（高級設置）,<CoreChipset>（核心芯片組）中激活。
本系統(tǒng)的內(nèi)存應該由上至下安裝。
存儲體3是默認的熱備份存儲體，必須按順序安裝以便用于熱備份存儲。所有使用的存儲體必須配置容量、速度和堆棧等級都相同的內(nèi)存。
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